DX-100霍尔效应测试系统

DX-100霍尔效应测试系统

DX-100霍尔效应测试系统可分为常温，高温，低温，高低温霍尔效应测试系统；用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数；霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。

可测试的样品：

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等

低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等

高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等

霍尔系统的组成：

系统由：电磁铁、高精度电源、连接电缆、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、标准样品、样品安装架、系统软件。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

主要参数：

1. 磁场强度：大于14000高斯（DX-100），气隙20mm

2. 电流：0.1mA-50mA（可扩展到1A）

3. 测量电压：0.1uV-30V

4. 所提供的标样材料：GaAs， Si等

5. 磁场最小分辨率：0.01mT

6. 磁场测量范围：0-3T

7. 电阻范围：10mΩ-1MΩ

8. 载流子浓度：10³-10²³cm^-3

9. 迁移率：0.1-10⁸cm²/volt*sec

10. 系统测量误差：＜2%

11. 用高斯计或数据采集板计算机通信

12. I-V曲线和I-R曲线测试

13. 电阻率范围：10^-6-10¹¹ohm*cm

14. 电阻范围：10mΩ-1MΩ

15. 载流子浓度：10³-10²²cm^-3

16. 迁移率：10²-10⁷cm²/volt*sec

17. 温度调节：0.1k

18. 温度范围：80k-500k （可选）

19. 全自动测试，一件处理